產(chǎn)品簡介

通過優(yōu)化PLD薄膜沉積速率和離子刻蝕速率，新瓷離子輔助PLD系統(tǒng)被用于在非晶或多晶基底上創(chuàng)建雙軸織構模板(薄膜)。雙軸織構通常是在室溫下進行的，這有利于使用許多襯底，否則不允許高質量的薄膜生長。氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯(YSZ)和相關材料，氧化鎂(MgO)是 universal 織構材料。離子輔助PLD最初被提議用于在金屬基底上沉積雙軸織化高溫超導YBCO薄膜，它可以擴展到許多技術上重要的基底，其中表面織化對應用至關重要。在沉積雙軸紋理模板后，活性器件層，如YBCO, PZT, CIGS等可以在應用程序確定的高溫下沉積。離子輔助PLD可以被看作是在沉積參數(shù)空間不足的情況下，在襯底和活性膜之間發(fā)展智能界面的一種方法。在許多應用中，薄膜襯底組合對于器件的應用是至關重要的。然而，如果所選的襯底不允許高質量的薄膜生長，則可能有必要開發(fā)一種能夠克服襯底結構和化學不相容的智能界面。離子輔助PLD可以通過改變成核過程或生長動力學來創(chuàng)建氧化物或金屬的界面。

離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或非晶襯底上沉積雙軸結構薄膜的一種重要技術。Neocera 開發(fā)了離子輔助的 PLD 系統(tǒng)，該系統(tǒng)將 PLD 在沉積復雜材料方面的優(yōu)勢與 IBAD 能力結合在一起。

產(chǎn)品特點

獨立的交鑰匙離子束輔助PLD系統(tǒng)。

在非晶和多晶襯底上沉積雙軸織構模板。

外延薄膜、多層異質結構和超晶格的沉積。

用RHEED診斷法沉積織構MgO薄膜。

氧化膜沉積的氧相容性。