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賽默飛電子顯微鏡

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沒(méi)時(shí)間解釋了,快上車(chē)!賽默飛車(chē)規(guī)半導(dǎo)體失效分析解決方案

閱讀:23      發(fā)布時(shí)間:2025-6-6
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端午節(jié)過(guò)后,國(guó)內(nèi)各大車(chē)企紛紛公布了今年5月份新能源汽車(chē)銷(xiāo)售數(shù)據(jù),頭部企業(yè)保持月銷(xiāo)十萬(wàn)臺(tái)以上,造車(chē)新勢(shì)力也都紛紛站上月銷(xiāo)4萬(wàn)的大關(guān)。于此同時(shí),今年1至4月,中國(guó)占世界新能源車(chē)份額68%。當(dāng)“月銷(xiāo)過(guò)萬(wàn)”不再是新聞,當(dāng)價(jià)格戰(zhàn)已成為常態(tài),每家車(chē)企都開(kāi)始拆解、營(yíng)銷(xiāo)自家產(chǎn)品的模塊和技術(shù),SiC電池模塊,智能駕駛高算力芯片,毫米波雷達(dá)等硬核概念也都“飛入平常百姓家”,讓普通消費(fèi)者不再陌生。

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雖然我國(guó)新能源汽車(chē)占全球新能源車(chē)份額超過(guò)68%,但是據(jù)統(tǒng)計(jì),2024年我國(guó)車(chē)規(guī)芯片自有化率僅為15%,甚至大大低于我國(guó)半導(dǎo)體整體芯片自給率。

車(chē)規(guī)芯片的以下特點(diǎn)導(dǎo)致其自有化率提升緩慢:

?種類(lèi)多

分為5大域,60多種;

?質(zhì)量要求高

車(chē)規(guī)芯片要達(dá)到0 PPM級(jí)別的失效水平,即每一百萬(wàn)個(gè)產(chǎn)品,不能出現(xiàn)一個(gè)失效產(chǎn)品。近期,對(duì)于某造車(chē)新勢(shì)力在新車(chē)的車(chē)機(jī)座艙芯片上采用消費(fèi)級(jí)芯片就引起了廣泛的探討。雖然,大多車(chē)機(jī)使用消費(fèi)級(jí)芯片的車(chē)型,都對(duì)芯片的封裝、溫控做了更多優(yōu)化,但在長(zhǎng)期使用過(guò)程中,其穩(wěn)定性可靠性還是不能和車(chē)規(guī)級(jí)芯片相提并論。

?生命周期長(zhǎng),測(cè)試與分析成本高

如2005年某知名車(chē)企發(fā)生一起音響突然達(dá)到最高音量的事故。彼時(shí),該芯片已裝車(chē)近500萬(wàn)顆。為了發(fā)現(xiàn)這顆成本僅6歐元的芯片出現(xiàn)故障的原因,企業(yè)耗時(shí)4個(gè)月,花費(fèi)超過(guò)5萬(wàn)歐元的分析費(fèi)用。

?標(biāo)準(zhǔn)龐雜

從設(shè)計(jì)、流片制造、認(rèn)證測(cè)試到應(yīng)用驗(yàn)證,每個(gè)環(huán)節(jié)對(duì)車(chē)規(guī)芯片都有專(zhuān)門(mén)的標(biāo)準(zhǔn)要求。其中最為大家熟悉的可能就是AEC-Q100認(rèn)證測(cè)試。

由此可見(jiàn),車(chē)規(guī)芯片的自有化率提升,離不開(kāi)分析測(cè)試,可以說(shuō),好芯片是測(cè)出來(lái)的。賽默飛半導(dǎo)體失效分析解決方案,提供從可靠性測(cè)試驗(yàn)證到失效定位和失效分析的全流程解決方案,助力國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)芯片不斷創(chuàng)新、發(fā)展,加速“上車(chē)”。

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賽默飛半導(dǎo)體失效分析工作流

 

MK系列靜電放電測(cè)試系統(tǒng)

 

完全符合標(biāo)準(zhǔn)的閂鎖激發(fā)源和器件偏壓:符合AEC-Q100靜電放電測(cè)試要求

基于快速繼電器的操作 - 多達(dá) 2304 個(gè)通道,卓越的測(cè)試和產(chǎn)量

6 個(gè)獨(dú)立的矢量激勵(lì)電源實(shí)現(xiàn)高級(jí)設(shè)備預(yù)處理

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ELITE鎖相熱紅外成像系統(tǒng)

實(shí)現(xiàn)無(wú)損故障定位

快速定位主板上有缺陷的器件以方便后續(xù)的分析驗(yàn)證

微米級(jí)精度定位 x-y 缺陷,深度位置準(zhǔn)確度高達(dá) 20 µm

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nProber IV納米探針

基于SEM的納米探針臺(tái),定位晶體管和 BEOL 故障

支持最小100V加速電壓下點(diǎn)針,并且支持自動(dòng)下針

可支持-40°C 至 150°C溫度范圍的探測(cè),利于模擬車(chē)規(guī)芯片真實(shí)工作條件

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Helios 5 Hydra等離子體聚焦離子束電鏡

 

4 個(gè)快速切換離子種類(lèi)(Xe、Ar、O、N),用于對(duì)種類(lèi)最豐富的材料進(jìn)行優(yōu)化 PFIB 處理

Xe和Ar實(shí)現(xiàn)快速樣品切割

高質(zhì)量的樣品表面拋光,無(wú)窗簾效應(yīng)

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Talos F200E(掃描)透射電子顯微鏡

半導(dǎo)體和微電子裝置的高質(zhì)量 (S)TEM 成像

使用 EDS 進(jìn)行精確、高速的化學(xué)表征

專(zhuān)用半導(dǎo)體相關(guān)應(yīng)用

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國(guó)產(chǎn)新能源汽車(chē)的飛速發(fā)展離不開(kāi)強(qiáng)大供應(yīng)鏈的支撐,芯片更是新能源汽車(chē)行業(yè)高速發(fā)展的原動(dòng)力。國(guó)產(chǎn)芯片如何順利“上車(chē)”,仍然需要汽車(chē)芯片供應(yīng)鏈上的每一個(gè)參與者共同思考與實(shí)踐。賽默飛也將不斷為行業(yè)內(nèi)客戶(hù)提供半導(dǎo)體失效分析解決方案,為汽車(chē)芯片的發(fā)展提供有力的支撐。想了解更多相關(guān)咨詢(xún),可關(guān)注我們的官方微信號(hào)和。

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