一、工作原理

薄膜式真空計(jì)是基于彈性薄膜在壓力差作用下產(chǎn)生形變，通過檢測(cè)形變轉(zhuǎn)化為電信號(hào)來測(cè)量真空度的儀器。其核心原理可拆解為以下步驟：

1. 結(jié)構(gòu)與核心組件

· 彈性薄膜：通常由不銹鋼、鎳合金或陶瓷等剛性材料制成，具有良好的彈性和耐腐蝕性，分隔被測(cè)真空環(huán)境與參考?jí)毫Νh(huán)境（如大氣或已知壓力腔）。

· 信號(hào)轉(zhuǎn)換元件：根據(jù)類型不同，分為以下兩種主要形式：

· 應(yīng)變片式：在薄膜表面粘貼電阻應(yīng)變片，形變時(shí)應(yīng)變片電阻值隨薄膜拉伸或壓縮發(fā)生變化，通過惠斯通電橋轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。

· 電容式：薄膜與固定電極形成電容，形變時(shí)極間距變化導(dǎo)致電容值改變，通過電路檢測(cè)電容變化量。

2. 工作機(jī)制

· 壓力差作用：當(dāng)被測(cè)環(huán)境處于真空狀態(tài)時(shí)，薄膜兩側(cè)產(chǎn)生壓力差（大氣壓力 / 參考?jí)毫?vs 真空壓力），薄膜向真空側(cè)彎曲形變。

· 形變 - 電信號(hào)轉(zhuǎn)換：

· 應(yīng)變片式：形變使應(yīng)變片產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，電阻值按胡克定律線性變化，電橋輸出與壓力差成比例的電壓信號(hào)。

· 電容式：薄膜形變導(dǎo)致電容兩極板間距變化，電容值與壓力差呈線性關(guān)系，通過高頻振蕩電路或電橋檢測(cè)電容變化。

· 信號(hào)處理與校準(zhǔn)：轉(zhuǎn)換后的電信號(hào)經(jīng)放大、濾波后，通過校準(zhǔn)曲線換算為真空度值（如 Pa、Torr 等單位）。

3. 關(guān)鍵特性

· 測(cè)量范圍：通常適用于中真空（103~10?1 Pa），部分改進(jìn)型可延伸至低真空（10?~103 Pa）。

· 響應(yīng)速度：取決于薄膜厚度和剛度，一般毫秒級(jí)響應(yīng)，適合動(dòng)態(tài)真空環(huán)境監(jiān)測(cè)。

二、應(yīng)用場(chǎng)景

薄膜式真空計(jì)因結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可靠性高、成本適中，廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

1. 工業(yè)制造

· 半導(dǎo)體與微電子：在芯片制造的沉積、蝕刻、離子注入等工藝中，監(jiān)測(cè)真空腔體內(nèi)的壓力穩(wěn)定性，確保薄膜沉積均勻性和工藝重復(fù)性。

· 真空鍍膜：光學(xué)鍍膜、太陽能電池薄膜制備時(shí)，精確控制真空度以調(diào)節(jié)膜層厚度和致密度。

· 真空熱處理：金屬退火、淬火等工藝中，監(jiān)測(cè)爐內(nèi)真空度，防止氧化并保證熱處理質(zhì)量。

2. 科研與實(shí)驗(yàn)室

· 真空物理研究：用于分子束外延（MBE）、真空蒸餾等實(shí)驗(yàn)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)真空系統(tǒng)壓力。

· 材料表征：在掃描電鏡（SEM）、X 射線光電子能譜（XPS）等設(shè)備中，確保樣品測(cè)試環(huán)境的真空度要求。

3. 能源與航空航天

· 核聚變研究：托卡馬克裝置中監(jiān)測(cè)真空室壓力，維持等離子體約束條件。

· 航天器測(cè)試：模擬太空真空環(huán)境，測(cè)試部件在苛刻條件下的性能。

4. 其他領(lǐng)域

· 醫(yī)療設(shè)備：真空采血、醫(yī)用真空系統(tǒng)的壓力監(jiān)測(cè)。

· 食品包裝：真空包裝機(jī)中控制抽氣過程，確保包裝密封性和保質(zhì)期。

三、優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比

四、延伸知識(shí)

· 與其他真空計(jì)的配合：在高真空（10?1~10?? Pa）或超高真空（<10?? Pa）場(chǎng)景中，常與熱傳導(dǎo)真空計(jì)、電離真空計(jì)串聯(lián)使用，覆蓋全量程測(cè)量。

· 新型發(fā)展：微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)推動(dòng)薄膜式真空計(jì)向微型化、集成化發(fā)展，適用于便攜式設(shè)備或芯片級(jí)真空監(jiān)測(cè)。

通過以上原理與應(yīng)用的解析，可清晰理解薄膜式真空計(jì)在真空測(cè)量中的核心作用及其在各領(lǐng)域的實(shí)際價(jià)值。